发布研报称，玻璃基板凭借其优异特性，逐步成为新一代介质。当前TGV玻璃基板正处于从实验室基础研究向量产工程化跨越的历史性节点，且呈国外进度领先、国内加速追赶态势。建议紧盯下游客户验证与量产线建设进度。建议关注上游原片环节、设备环节、其他材料以及加工制造环节相关标的。主要观点如下：玻璃基板：新一代先进封装材料伴随摩尔定律演进趋缓，成为后摩尔时代芯片提升集成度与系统性能的核心路径。而传统有机基板在大尺寸集成中面临翘曲变形、布线密度受限及信号损耗等物理瓶颈。在此背景下，玻璃基板凭借低介电常数、低介电损耗、高平整度、高化学稳定性及与硅高度匹配的热膨胀系数等优异特性，逐步成为新一代介。产业化加速：TGV中介层与TGV玻璃芯板两种方案并行基于玻璃基板产生两种解决方案：替代TSV与替代IC封装基板。1)TGV中介层替代传统TSV中介层：Intel于年初NEPCONJapan展示结合E封装与玻璃基板的实物样品，采用双E桥接结构，承载规模实现翻倍;CoPoS方案采用TGV中介层路线，“化圆为方”提升基板利用率，2月交付试点产线设备，预计6月完成产线建设，28年启动量产;三星正积极测试将玻璃基板应用于下一代HBM4内存封装，提升堆叠密度与散热性能。2)TGV玻璃芯板替代传统IC封装基板：Intel全球商业化领先，1月出货全球首款搭载玻璃芯基板的Xeon 6+Clearwater Forest服务器处理器;三星电机试产线已投入运行，4月开始向供应AI服务器芯片“Baltra”的玻璃基板样品。此外，CPO光电共封装领域，玻璃基板因在宽光谱范围内的高透明性、低介电损耗、高尺寸稳定性以及良好的工艺兼容性，近年来逐渐成为封装级光波导集成技术的首选材料。关键技术：TGV技术为核心，金属化填充与RDL决定电气连接质量TGV核心工序包括原片制造、TGV通孔、金属化填充、RDL等。TGV玻璃通孔的制备是玻璃基板封装的核心工序。相比于传统的物理钻孔、激光直接消融、光敏玻璃等方法，激光诱导深度刻蚀工艺(LIDE)具备高深径比、加工精度和加工效率较高的优势，被认为是当前实现大尺寸、高密度TGV批量制造的最优技术路径。此外，TGV金属化填充与RDL技术主要实现通孔内部的金属化填充及表面的精细布线，是决定玻璃基板电气连接质量的关键。现状：海外步伐领先，国内加速追赶受益于海外巨头TGV技术储备更早，以及等优质玻璃原
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