SK海力士参展HPED2026,展出256GB3D堆叠RDIMM等产品,HBM4E能效提升超20%
== 2026/6/21 0:50:00 == 热度 189
SK海力士于6月15日至18日参加了在美国拉斯维加斯威尼斯人会议中心举行的HPE Discover Las Vegas 2026(HPED 2026)。该展会是惠普企业每年举办的全球技术会议,聚焦AI、云计算与网络基础设施的变革趋势。展会现场,SK海力士搭建了英伟达下一代AI平台Vera Rubin的内部结构模型,围绕模型陈列了16层48GB HBM4、12层36GB HBM4以及12层36GB HBM3E的实物产品,直观展示HBM4在Vera Rubin中的安装位置。HBM展台正后方,SK海力士展出CMM-DDR5产品线,包括第一代CXL 2.0+平台的128GB产品和第二代CXL 3.2平台的256GB产品,搭载该系列产品的Liquid CXL池化内存服务器也同步亮相。服务器DRAM展台方面,SK海力士带来业界最大容量的256GB 3D堆叠式RDIMM产品,该模块采用TSV技术垂直连接DRAM芯片。现场还展示了128GB、96GB和64GB等多种容量的DDR5 RDIMM产品线,以及192GB SOCAMM2 AI服务器内存模块。当地时间6月18日,SK海力士官网发布消息称,公司已向主要客户供应12层堆叠HBM4E样品。该产品为面向人工智能的下一代超高性能DRAM,较上一代HBM4,其引脚速率最高可达16Gbps,能效提高20%以上,显著提升AI训练和推理所需的数据处理能力,热阻降低约17%。市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
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