本报讯 （记者吴奕萱 见习记者戚辰琪）芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称“芯联集成”）日前宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。    此次3300V SiC器件的发布，是芯联集成长期研发投入与系统代工能力在AI基础设施电源这一高成长赛道的集中体现，也标志着芯联集成在高压宽禁带半导体领域实现又一关键突破，填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白。    该产品基于8英寸产线自研高压平面栅SiC MOSFET技术，以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值（RDS（on）×QG），实现了卓越的导通与开关性能。    综合来看，3300V方案可实现系统级BOM成本降低20%～35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。    为进一步补强固态变压器供应链，芯联集成也将推出适配3300V SiC MOSFET的高频高耐压高功率密度磁性器件。    作为国内碳化硅器件出货量领先的厂商，芯联集成在高压功率半导体领域拥有深厚的技术积淀，已完成650V至3300V全电压段SiCMOSFET产品布局，新一代SiC G2.0工艺平台在能效与可靠性上实现进一步突破，8英寸SiC产线已实现大规模量产。    随着生成式AI算力需求呈指数级增长，单AI机柜功率密度正向兆瓦级别迈进。英伟达年初宣布推动AI数据中心供电架构向800V HVDC演进，固态变压器成为AI数据中心领域的关键环节；在智能电网与新能源领域，固态变压器同样发挥着核心作用。    随着固态变压器市场的逐步起量，高压SiC器件将迎来更明确的量产需求；从核心器件到系统代工，从AI数据中心到智能电网，芯联集成正以3300V SiC M
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