6月24日，A股市场碳化硅板块大涨，(.SH)、东尼电子(603595.SH)涨停，(.SZ)涨超9%。上周以来，指数(8841294.WI)持续走高，连续多日收阳。随即，多只概念股接连发布股票交易异常波动公告。碳化硅衬底商、东尼电子以及碳化硅设备商(.SH)在公告中均提示，近期股价波动幅度较大，存在短期交易风险。这轮行情的背后，是AI算力基础设施对碳化硅需求的叙事重构——从的动力辅助，到AI数据中心的核心材料，碳化硅正在经历一场价值重估。“SiC(碳化硅)领域爆发在即，AIDC及为主要驱动因素。”研报指出，SiC行业有望享受多个下游领域高速增长，预计2026年及2030年全球等效6英寸SiC衬底需求量分别为295万片及1659万片，2026-2030年CAGR达54%。AI服务器、带动碳化硅需求碳化硅凭借其高耐压、高频率、高效率的物理特性，此前在、光伏、通信基站等领域加速渗透。而这一轮行情的增量，则来自于AI服务器和。一方面，AI服务器功耗上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求，显著拉动了SiC价值量与渗透率。固态变压器(SST)打开了碳化硅的新空间。已在算力中心供电白皮书中将SST确立为下一代800V高压直流供电架构的核心设备，其依托碳化硅功率器件的高频特性，可实现10kV中压交流至800V直流的一步式转换，全链路转换效率最高可达98.5%。研报指出，SiC为800V应用场景的核心材料，相较硅方案，SiC器件导通电阻仅为硅基器件的1/10，可大幅降低导通损耗，同时在百千瓦级高功率密度场景下SiC散热性能更优，可有效缩减热系统体积与成本，且SiC MOSFET开关损耗远低于硅基IGBT，可显著提高电源转化效率。伴随后续800V HVDC及SST渗透率提升，SiC将迎加速放量。容芯致远联合创始人、CTO石旭也告诉21世纪经济报道记者，为有效降低电流损耗，大规模智算数据中心一定会走向高压直流，全面走向800V高压直流供电是必然趋势。碳化硅已成为业内制造高压器件的主流方案，其在该领域的应用地位与IGBT一样。另一方面，碳化硅在的散热领域也展现出了应用潜力。指出，使用碳化硅MOSFET替代硅基MOSFET，可以提高开关频率，降低反向恢复损耗，有效减少数量，增加电源功率密度，提高电力转换效率。碳化硅的禁带宽度、临界击穿场强、热导率和饱和电子漂移速
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