智通财经获悉，据韩国媒体最新报道，全球存储芯片两大超级霸主即韩国存储双雄三星电子与SK海力士正准备在下周一宣布价值数千亿美元的新一轮投资以大幅扩张HBM/DRAM/NAND存储芯片产能以及新建设大型数据中心或产业园区。此外，另一存储芯片原厂即来自美国的存储芯片巨头美光周四公布的最新财报显示，该公司将2026财年资本开支计划上调50亿美元至创纪录的250亿美元规模，这些存储巨头最新扩张迹象可谓凸显出，阿斯麦、泛林、应用材料等半导体设备巨头们正进入由AI芯片与存储芯片大规模扩产驱动的新一轮超级增长周期。从扩产工程逻辑来看，阿斯麦EUV/DUV光刻机绝非普通等级的半导体设备，而是先进逻辑芯片、AI加速器、HBM相关的高端DRAM制程继续缩微和提升良率的瓶颈工具;此外，AI芯片短缺、HBM/DRAM紧张、NAND需求结构性抬升，本质上都指向同类型的AI算力基础设施供给瓶颈与约束：先进算力不是只长期缺乏GPU/TPU，而是缺晶圆产能、先进芯片制程与先进封装产能、存储芯片产能巨大缺口之下的刻蚀/沉积/量测控制/先进封装设备和光刻吞吐能力;与此同时，华尔街分析师们认为这种供给瓶颈正在把半导体设备链从周期复苏交易重新定价为AI算力资本开支超级周期交易。韩国《每日经济新闻》周五报道称，三星集团将公布未来十年规模达1000万亿韩元(大约6460亿美元)的史无前例支出计划;其中包括可能斥资300万亿韩元在韩国西南部建设芯片工厂。这将成为韩国历史上规模最大的此类支出计划。报道称，三星和SK海力士的高层预计将于下周初出席在韩国青瓦台举行的总统简报会。三星和SK海力士是韩国市值最高的两家公司，也是全球领先的存储芯片制造巨头。韩国存储芯片双雄筹备史上最大规模支出青瓦台一名高级发言人当地时间周四表示，韩国总统李在明将于周一主持关于大韩民国实现伟大跃升的三大超级项目国家简报会，并补充称更多细节将在当天公布。在该活动筹备期间，《每日经济新闻》和其他韩国传统报纸报道称，这两大存储芯片巨头的高管们已与总统会面，讨论史无前例的韩国本土投资计划。韩国总统政策室长Kim Yong-beom表示，当总统于6月29日主持会议并且讨论大型企业投资计划时，将公布非常不同寻常的数字。Kim周五在一档YouTube节目接受采访时表示，该活动将聚焦半导体产能、AI数据中心建设进程和物理AI等关键前沿技术领
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